Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD86336Q3D
CSD86336Q3D

CSD86336Q3D Texas Instruments

csd86336q3d.pdf suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd86336q3d
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.23 грн
10+91.76 грн
100+58.14 грн
500+46.21 грн
1000+42.60 грн
2500+37.68 грн
5000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD86336Q3D Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 125°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V, FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3).

Інші пропозиції CSD86336Q3D за ціною від 41.21 грн до 144.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD86336Q3D CSD86336Q3D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd86336q3d Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.40 грн
10+89.15 грн
100+60.25 грн
500+44.94 грн
1000+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3D Виробник : Texas Instruments csd86336q3d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3D CSD86336Q3D Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd86336q3d Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.