Інші пропозиції CSD86350Q5D Транзистор за ціною від 87.21 грн до 273.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD86350Q5D | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CSD86350Q5D | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 6791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CSD86350Q5D | Texas Instruments |
MOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET |
на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| CSD86350Q5D |
|
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD86350Q5D |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 87.21 грн |
| CSD86350Q5D |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.72 грн |
| 10+ | 172.69 грн |
| 50+ | 133.48 грн |
| 100+ | 113.43 грн |
| 500+ | 93.61 грн |
| CSD86350Q5D |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET
MOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




