
CSD86350Q5D Texas Instruments
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 109.89 грн |
10+ | 98.66 грн |
25+ | 98.32 грн |
100+ | 84.86 грн |
250+ | 77.64 грн |
500+ | 74.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD86350Q5D Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 13W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-LSON (5x6), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD86350Q5D за ціною від 71.66 грн до 238.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD86350Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 3454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
CSD86350Q5D |
![]() |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5D | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active |
товару немає в наявності |