
CSD86350Q5DT Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 121.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD86350Q5DT Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 13W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-LSON (5x6), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD86350Q5DT за ціною від 105.20 грн до 319.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD86350Q5DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (5x6) Part Status: Active |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
CSD86350Q5DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |