Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD86356Q5DT
CSD86356Q5DT

CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd86356q5d csd86356q5d.pdf
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+264.17 грн
10+173.16 грн
100+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12W, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD86356Q5DT за ціною від 107.23 грн до 107.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD86356Q5DT CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd86356q5d csd86356q5d.pdf Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DT Texas Instruments csd86356q5d.pdf Description: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd86356q5d csd86356q5d.pdf
CSD86356Q5DT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DT csd86356q5d.pdf
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
208+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.