CSD86356Q5DT TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0018 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25, Dauer-Drainstrom Id: 40, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0018, Verlustleistung Pd: 12, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85, Verlustleistung, p-Kanal: 12, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0018, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).