Інші пропозиції CSD87312Q3E за ціною від 39.90 грн до 141.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD87312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSONPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 35664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CSD87312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CSD87312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| CSD87312Q3E |
TI QFN 12+ |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
CSD87312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
Dual 30-V N-Channel Power MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
CSD87312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
Dual 30-V N-Channel Power MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
CSD87312Q3E | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
товару немає в наявності |



