Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e
Код товару: 166985
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD87312Q3E за ціною від 39.70 грн до 140.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD87312Q3E CSD87312Q3E Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 35664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E CSD87312Q3E Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+78.83 грн
100+61.27 грн
500+48.73 грн
1000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E CSD87312Q3E Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e MOSFETs Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e TI QFN 12+
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e
CSD87312Q3E
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 35664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
484+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e
CSD87312Q3E
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.41 грн
10+78.83 грн
100+61.27 грн
500+48.73 грн
1000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e
CSD87312Q3E
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87312q3e
TI QFN 12+
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.