
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 47.65 грн |
5000+ | 45.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87313DMS Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3).
Інші пропозиції CSD87313DMS за ціною від 41.17 грн до 120.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) |
товару немає в наявності |