CSD87313DMS Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, dual common drain SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm 8-WSON -55 to 150
MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, dual common drain SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm 8-WSON -55 to 150
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.18 грн |
10+ | 112.09 грн |
100+ | 78.11 грн |
500+ | 64.29 грн |
1000+ | 53.21 грн |
2500+ | 47.6 грн |
5000+ | 45.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87313DMS Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3).
Інші пропозиції CSD87313DMS
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) |
товар відсутній |
||
CSD87313DMS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) |
товар відсутній |