Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD87313DMS
CSD87313DMS

CSD87313DMS Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87313dms
Виробник: Texas Instruments
30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.50 грн
5000+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD87313DMS Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3).

Інші пропозиції CSD87313DMS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD87313DMS CSD87313DMS Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87313dms MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMST
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87313dms
CSD87313DMS
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMST
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.