CSD87313DMS

CSD87313DMS Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87313dms Виробник: Texas Instruments
MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, dual common drain SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm 8-WSON -55 to 150
на замовлення 1791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.18 грн
10+ 112.09 грн
100+ 78.11 грн
500+ 64.29 грн
1000+ 53.21 грн
2500+ 47.6 грн
5000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD87313DMS Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3).

Інші пропозиції CSD87313DMS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD87313DMS CSD87313DMS Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87313dms Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
товар відсутній
CSD87313DMS CSD87313DMS Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87313dms Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
товар відсутній