CSD87313DMST Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 89.13 грн |
| 500+ | 78.76 грн |
| 750+ | 75.15 грн |
| 1250+ | 66.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87313DMST Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2.7W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CSD87313DMST за ціною від 91.73 грн до 224.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD87313DMST | Texas Instruments |
30-V Dual N-Channel Power MOSFETs |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
CSD87313DMST | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
CSD87313DMST | Texas Instruments |
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMS |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD87313DMST |
|
Виробник: Texas Instruments
30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 91.73 грн |
| CSD87313DMST |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.45 грн |
| 10+ | 140.60 грн |
| 100+ | 97.26 грн |
| CSD87313DMST |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMS
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMS
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)