CSD87330Q3D Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.17 грн |
| 5000+ | 45.33 грн |
| 7500+ | 44.80 грн |
| 12500+ | 41.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87330Q3D Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції CSD87330Q3D за ціною від 36.73 грн до 103.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD87330Q3D | Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 24132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD87330Q3D | Texas Instruments |
MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block |
на замовлення 50092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD87330Q3D | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD87330Q3D | TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, LSON-8tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CSD87330Q3D |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 24132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.86 грн |
| 10+ | 68.50 грн |
| 25+ | 62.13 грн |
| 100+ | 51.74 грн |
| 250+ | 48.61 грн |
| 500+ | 46.72 грн |
| 1000+ | 44.43 грн |
| CSD87330Q3D |
![]() |
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block
MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block
на замовлення 50092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.90 грн |
| 10+ | 67.96 грн |
| 100+ | 49.22 грн |
| 500+ | 41.77 грн |
| 1000+ | 37.14 грн |
| 2500+ | 36.73 грн |
| CSD87330Q3D |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 103.90 грн |
| 12+ | 68.94 грн |
| 100+ | 58.31 грн |
| CSD87330Q3D |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, LSON-8
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, LSON-8
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 58.31 грн |




