CSD87330Q3D Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 48.65 грн |
| 5000+ | 45.78 грн |
| 7500+ | 45.25 грн |
| 12500+ | 41.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87330Q3D Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD87330Q3D за ціною від 37.09 грн до 102.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD87330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 24132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block |
на замовлення 52135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87330Q3D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD87330Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R |
товару немає в наявності |