CSD87333Q3D Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87333Q3D Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD87333Q3D за ціною від 31.05 грн до 89.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD87333Q3D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87333Q3D | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87333Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87333Q3D | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET |
на замовлення 4221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87333Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
CSD87333Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD87333Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD87333Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |