
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 79.75 грн |
500+ | 72.89 грн |
1000+ | 61.50 грн |
2500+ | 53.47 грн |
5000+ | 48.58 грн |
10000+ | 45.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87334Q3DT Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3).
Інші пропозиції CSD87334Q3DT за ціною від 49.18 грн до 143.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |