на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 89.20 грн |
| 500+ | 81.52 грн |
| 1000+ | 68.79 грн |
| 2500+ | 59.81 грн |
| 5000+ | 54.33 грн |
| 10000+ | 51.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87334Q3DT Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3).
Інші пропозиції CSD87334Q3DT за ціною від 54.72 грн до 154.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8VSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs Sync Buck NexFET Power Block |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
High Frequency Synchronous Power Module |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD87334Q3DT | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |