CSD87335Q3D Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87335Q3D Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD87335Q3D за ціною від 40.48 грн до 112.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD87335Q3D | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3) Part Status: Active |
на замовлення 4919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CSD87335Q3D | Виробник : Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel synchronous buck NexFET power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 25 A 8-LSON-CLIP -55 to 150 |
на замовлення 6948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|