
CSD87502Q2T Texas Instruments
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 35.78 грн |
25+ | 35.71 грн |
100+ | 32.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87502Q2T Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD87502Q2T за ціною від 32.45 грн до 129.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 7099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 12727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 35.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 2x2mm Gate charge: 2.2nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm Case: WSON6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 35.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 2x2mm Gate charge: 2.2nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |