CSD87503Q3E Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.28 грн |
| 10+ | 64.54 грн |
| 25+ | 58.41 грн |
| 100+ | 48.48 грн |
| 250+ | 45.47 грн |
| 500+ | 43.65 грн |
| 1000+ | 41.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87503Q3E Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 15.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD87503Q3E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD87503Q3E | Texas Instruments |
MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CSD87503Q3E |
|
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET
MOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)