Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > CSD88537ND
CSD88537ND

CSD88537ND

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
Код товару: 118288
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 8 шт:
8 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD88537ND за ціною від 30.85 грн до 127.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.04 грн
5000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.52 грн
500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.94 грн
10+87.58 грн
100+63.52 грн
500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.89 грн
10+76.82 грн
100+51.88 грн
500+38.49 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-CSD88537NDT
на замовлення 12981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.34 грн
10+83.94 грн
100+50.25 грн
500+39.79 грн
1000+36.38 грн
2500+32.67 грн
5000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.