CSD88537ND


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
Код товару: 118288
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції CSD88537ND за ціною від 28.10 грн до 157.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD88537ND CSD88537ND Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.61 грн
5000+41.05 грн
7500+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-CSD88537NDT
на замовлення 12981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+76.45 грн
100+45.77 грн
500+36.24 грн
1000+33.14 грн
2500+29.75 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND CSD88537ND Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.52 грн
100+66.25 грн
500+49.62 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.61 грн
5000+41.05 грн
7500+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-CSD88537NDT
на замовлення 12981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.98 грн
10+76.45 грн
100+45.77 грн
500+36.24 грн
1000+33.14 грн
2500+29.75 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+157.66 грн
10+97.52 грн
100+66.25 грн
500+49.62 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.