CSD88537ND

CSD88537ND Texas Instruments


getliterature.pdf Виробник: Texas Instruments
Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD88537ND Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції CSD88537ND за ціною від 31.41 грн до 108.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.02 грн
5000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+63.19 грн
500+ 49.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.36 грн
10+ 68.65 грн
100+ 53.36 грн
500+ 42.45 грн
1000+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 27259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.42 грн
10+ 75.4 грн
100+ 50.92 грн
500+ 43.18 грн
1000+ 35.11 грн
2500+ 32.37 грн
5000+ 31.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+108.25 грн
10+ 85.99 грн
100+ 63.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD88537ND CSD88537ND
Код товару: 118288
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
CSD88537ND CSD88537ND Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній