на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 36.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88537ND Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD88537ND за ціною від 33.77 грн до 133.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD88537ND | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88537ND | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88537ND | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 27259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88537ND | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88537ND | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 6355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88537ND Код товару: 118288
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
CSD88537ND | Виробник : Texas Instruments |
Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD88537ND | Виробник : Texas Instruments |
Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CSD88537ND | Виробник : Texas Instruments |
Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |