на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 43.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88537NDT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537NDT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD88537NDT за ціною від 39.02 грн до 125.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD88537NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537NDT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88537NDT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88537NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88537NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 595 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88537NDT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88537NDT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 1176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88537NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537NDT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88537NDT | Виробник : Texas Instruments |
Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD88537NDT | Виробник : Texas Instruments |
Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD88537NDT | Виробник : Texas Instruments |
Power MOSFET 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |