CSD88539ND Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88539ND Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції CSD88539ND за ціною від 22.36 грн до 101.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD88539ND | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88539ND | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88539ND | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88539ND | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 3965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD88539ND | Виробник : Texas Instruments |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 15A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; CSD88539NDT CSD88539ND TCSD88539nd кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
CSD88539ND | Виробник : Texas Instruments |
High Frequency Synchronous Power Module |
товару немає в наявності |