Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD88539ND
CSD88539ND

CSD88539ND Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD88539ND Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD88539ND за ціною від 23.80 грн до 111.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CSD88539ND CSD88539ND Texas Instruments TCSD88539nd_TI_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 15A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; CSD88539NDT CSD88539ND TCSD88539nd
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND CSD88539ND TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND CSD88539ND Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+52.80 грн
100+34.79 грн
500+26.18 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND CSD88539ND TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.23 грн
14+58.55 грн
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND CSD88539ND Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+70.34 грн
100+40.38 грн
500+31.69 грн
1000+28.93 грн
2500+25.82 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND TCSD88539nd_TI_0001.pdf
CSD88539ND
Виробник: Texas Instruments
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 15A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; CSD88539NDT CSD88539ND TCSD88539nd
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
CSD88539ND
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
CSD88539ND
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.76 грн
10+52.80 грн
100+34.79 грн
500+26.18 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
CSD88539ND
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+94.23 грн
14+58.55 грн
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539ND suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
CSD88539ND
Виробник: Texas Instruments
MOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.95 грн
10+70.34 грн
100+40.38 грн
500+31.69 грн
1000+28.93 грн
2500+25.82 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.