Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD88539NDT
CSD88539NDT

CSD88539NDT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+41.16 грн
500+35.87 грн
750+33.95 грн
1250+29.84 грн
1750+28.64 грн
2500+27.47 грн
6250+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD88539NDT Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції CSD88539NDT за ціною від 25.63 грн до 130.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.95 грн
10+68.64 грн
100+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD88539ND
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.51 грн
10+70.14 грн
100+27.84 грн
500+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd CSD88539NDT Multi channel transistors
на замовлення 385 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.87 грн
27+43.60 грн
74+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Power Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Power Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf High Frequency Synchronous Power Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.