Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD88539NDT
CSD88539NDT

CSD88539NDT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+37.73 грн
500+32.88 грн
750+31.13 грн
1250+27.35 грн
1750+26.25 грн
2500+25.19 грн
6250+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD88539NDT Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції CSD88539NDT за ціною від 22.59 грн до 103.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD88539ND
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.05 грн
10+61.82 грн
100+24.54 грн
500+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.54 грн
10+62.92 грн
100+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Power Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT CSD88539NDT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Power Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.