
CSD88539NDT Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 30.41 грн |
500+ | 26.77 грн |
750+ | 26.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88539NDT Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD88539NDT за ціною від 25.90 грн до 116.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 10232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
CSD88539NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |