CSD88539NDT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 40.97 грн |
| 500+ | 35.70 грн |
| 750+ | 33.79 грн |
| 1250+ | 29.70 грн |
| 1750+ | 28.50 грн |
| 2500+ | 27.34 грн |
| 6250+ | 24.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88539NDT Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD88539NDT за ціною від 25.51 грн до 112.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD88539NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD88539NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A Power dissipation: 2.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 6766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD88539ND |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
Power Block 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
High Frequency Synchronous Power Module |
товару немає в наявності |