Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD88584Q5DCT
CSD88584Q5DCT

CSD88584Q5DCT Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88584q5dc
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerTFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.73 грн
10+255.95 грн
100+203.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD88584Q5DCT Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції CSD88584Q5DCT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD88584Q5DCT CSD88584Q5DCT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88584q5dc Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88584Q5DCT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88584q5dc
CSD88584Q5DCT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.