CTLDM304P-M832DS TR Central Semiconductor Corp


CTLDM304P-M832DS.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: TLM832DS
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.65W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CTLDM304P-M832DS TR Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: TLM832DS, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.65W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції CTLDM304P-M832DS TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CTLDM304P-M832DS TR CTLDM304P-M832DS TR Central Semiconductor ctldm304p-m832ds-217989.pdf MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual P-Ch Enhanced
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CTLDM304P-M832DS TR ctldm304p-m832ds-217989.pdf
Виробник: Central Semiconductor
MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual P-Ch Enhanced
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.