CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.70 грн |
| 35+ | 8.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: US2H, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V.
Інші пропозиції CUHS20S60,H3F за ціною від 5.36 грн до 20.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CUHS20S60,H3F | Виробник : Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTKY VR=60V, IO=2A |
на замовлення 12133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CUHS20S60,H3F | Виробник : Toshiba |
Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 2A 2-Pin US-H |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
CUHS20S60,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V |
товару немає в наявності |