CWDM3011P TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp


CWDM3011P.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CWDM3011P TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): 20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції CWDM3011P TR13 PBFREE за ціною від 22.22 грн до 71.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011P TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CWDM3011P.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.95 грн
10+46.62 грн
100+32.26 грн
500+24.21 грн
1000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011P TR13 PBFREE Central Semiconductor CWDM3011P.PDF MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 30Vds 20Vgs 2.5W
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011P.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.95 грн
10+46.62 грн
100+32.26 грн
500+24.21 грн
1000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011P.PDF
Виробник: Central Semiconductor
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 30Vds 20Vgs 2.5W
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.