Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CXDM4060N TR PBFREE
CXDM4060N TR PBFREE

CXDM4060N TR PBFREE Central Semiconductor Corp

CXDM4060N.PDF Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+26.33 грн
2000+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CXDM4060N TR PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-89, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 20 V.

Інші пропозиції CXDM4060N TR PBFREE за ціною від 22.39 грн до 67.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CXDM4060N TR PBFREE CXDM4060N TR PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp CXDM4060N.PDF Description: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 20 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.82 грн
10+ 47.22 грн
100+ 36.72 грн
500+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
CXDM4060N TR PBFREE CXDM4060N TR PBFREE Виробник : Central Semiconductor CXDM4060N.PDF MOSFET 40Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 6.0A 1.2W
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.38 грн
10+ 59.43 грн
100+ 40.28 грн
500+ 33.32 грн
1000+ 26.22 грн
2000+ 24.51 грн
10000+ 22.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
CXDM4060N TR PBFREE Виробник : Central Semiconductor cxdm4060n.pdf Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon MOSFET
товар відсутній