Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > CXDM6053N TR PBFREE
CXDM6053N TR PBFREE

CXDM6053N TR PBFREE Central Semiconductor Corp

CXDM6053N.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.85 грн
2000+25.73 грн
3000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CXDM6053N TR PBFREE Central Semiconductor Corp

Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): 20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Інші пропозиції CXDM6053N TR PBFREE за ціною від 31.52 грн до 83.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CXDM6053N TR PBFREE CXDM6053N TR PBFREE Central Semiconductor Corp CXDM6053N.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+59.00 грн
100+42.19 грн
500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CXDM6053N TR PBFREE CXDM6053N TR PBFREE Central Semiconductor CXDM6053N.pdf MOSFETs 60Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 5.3A 1.2W
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CXDM6053N TR PBFREE CXDM6053N.PDF
CXDM6053N TR PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.90 грн
10+59.00 грн
100+42.19 грн
500+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CXDM6053N TR PBFREE CXDM6053N.pdf
CXDM6053N TR PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
MOSFETs 60Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 5.3A 1.2W
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.