Технічний опис CY14B101LA-ZS25XI INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції CY14B101LA-ZS25XI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B101LA-ZS25XI | Виробник : Infineon Technologies |
 NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
CY14B101LA-ZS25XI | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
 |
CY14B101LA-ZS25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM |
товару немає в наявності |