CY14B104LA-BA25XI Infineon Technologies


Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit_512_K_8_256_K_16_nvSRAM_DataSheet_v16_00_EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2851.83 грн
10+2602.62 грн
25+2190.48 грн
50+2136.18 грн
100+2082.67 грн
299+2028.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY14B104LA-BA25XI Infineon Technologies

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 25ns; FBGA48; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 25ns, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Memory: 4Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Case: FBGA48, Kind of package: in-tray, Kind of memory: NV SRAM, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD.

Інші пропозиції CY14B104LA-BA25XI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY14B104LA-BA25XI CY14B104LA-BA25XI Виробник : Cypress Semiconductor Corp download Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104LA-BA25XI Виробник : Cypress Semiconductor 001-49918_CY14B104LA_CY14B104NA_4_MBIT_512K_X_8_25-258978.pdf NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104LA-BA25XI Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 25ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Case: FBGA48
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.