CY14B104M-ZSP25XI

CY14B104M-ZSP25XI Infineon Technologies


CYPR_S_A0004284199_1-3004281.pdf Виробник: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3338.57 грн
10+3094.66 грн
25+2597.66 грн
50+2515.02 грн
100+2310.73 грн
250+2300.78 грн
2160+2300.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY14B104M-ZSP25XI Infineon Technologies

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 25ns; TSOP54 II; parallel, Mounting: SMD, Kind of interface: parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TSOP54 II, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 25ns, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Memory: 4Mb SRAM, Memory organisation: 256kx16bit, Kind of package: in-tray, Kind of memory: NV SRAM, кількість в упаковці: 1080 шт.

Інші пропозиції CY14B104M-ZSP25XI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY14B104M-ZSP25XI CY14B104M-ZSP25XI Виробник : Cypress Semiconductor Corp download Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104M-ZSP25XI Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 25ns; TSOP54 II; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP54 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NV SRAM
кількість в упаковці: 1080 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104M-ZSP25XI CY14B104M-ZSP25XI Виробник : Cypress Semiconductor Corp download Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104M-ZSP25XI Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 25ns; TSOP54 II; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP54 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NV SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.