CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3235.95 грн |
| 10+ | 2880.39 грн |
| 25+ | 2787.44 грн |
| 50+ | 2550.72 грн |
| 100+ | 2486.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4Mbit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 4Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit.
Інші пропозиції CY14B104NA-BA25XI за ціною від 2399.35 грн до 3800.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
CY14B104NA-BA25XI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Mbit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY14B104NA-BA25XI |
|
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3758.11 грн |
| 5+ | 3453.71 грн |
| 10+ | 3301.52 грн |
| 50+ | 3138.45 грн |
| 100+ | 2644.64 грн |
| CY14B104NA-BA25XI |
|
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3800.26 грн |
| 10+ | 3493.58 грн |
| 25+ | 3265.94 грн |
| 50+ | 2827.85 грн |
| 100+ | 2602.23 грн |
| 299+ | 2399.35 грн |
| CY14B104NA-BA25XI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY14B104NA-BA25XI |
|
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)