CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2534.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY14B104NA-BA25XI за ціною від 2063.89 грн до 3348.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B104NA-BA25XI | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CY14B104NA-BA25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
на замовлення 1542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CY14B104NA-BA25XI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 256K x 16 Bit euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CY14B104NA-BA25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CY14B104NA-BA25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CY14B104NA-BA25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |