Технічний опис CY14B104NA-BA45XE Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10), Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції CY14B104NA-BA45XE
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
CY14B104NA-BA45XE | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||
CY14B104NA-BA45XE | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
CY14B104NA-BA45XE | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
CY14B104NA-BA45XE | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |