Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > CY14B104NA-ZS20XI
CY14B104NA-ZS20XI

CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies

infineon-cy14b104la-cy14b104na-4-mbit-512-k-8-256-k-16-nvsram-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf621933a8
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2841.70 грн
10+2530.12 грн
25+2448.49 грн
50+2240.60 грн
135+2160.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies

Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції CY14B104NA-ZS20XI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY14B104NA-ZS20XI Cypress Semiconductor CY14B104_Cypress.pdf Статична енергонезалежна пам'ять NVSRAM, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256К х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 135 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS20XI CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit_512_K_8_256_K_16_nvSRAM_DataSheet_v16_00_EN.pdf NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS20XI CY14B104_Cypress.pdf
Виробник: Cypress Semiconductor
Статична енергонезалежна пам'ять NVSRAM, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256К х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 135 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS20XI Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit_512_K_8_256_K_16_nvSRAM_DataSheet_v16_00_EN.pdf
CY14B104NA-ZS20XI
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.