Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > CY14B104NA-ZS25XI
CY14B104NA-ZS25XI

CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies

870013803070501download.pdf
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3010.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies

Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 2.7, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, Speichergröße: 4, Anzahl der Pins: 44, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 3.6, Zugriffszeit für Schreiben: 25, Zugriffszeit für Lesen: 25, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції CY14B104NA-ZS25XI за ціною від 2252.57 грн до 3721.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies download Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3042.25 грн
10+2707.71 грн
25+2620.23 грн
40+2417.33 грн
135+2311.41 грн
270+2252.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies 870013803070501download.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3721.87 грн
10+3468.36 грн
25+3280.58 грн
50+3161.61 грн
100+2659.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies 870013803070501download.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3721.87 грн
10+3468.36 грн
25+3280.58 грн
50+3161.61 грн
100+2659.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit__512_K_8_256-3361058.pdf NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XI CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES 2309567.pdf Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Zugriffszeit für Schreiben: 25
Zugriffszeit für Lesen: 25
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI download
CY14B104NA-ZS25XI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3042.25 грн
10+2707.71 грн
25+2620.23 грн
40+2417.33 грн
135+2311.41 грн
270+2252.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI 870013803070501download.pdf
CY14B104NA-ZS25XI
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3721.87 грн
10+3468.36 грн
25+3280.58 грн
50+3161.61 грн
100+2659.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI 870013803070501download.pdf
CY14B104NA-ZS25XI
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3721.87 грн
10+3468.36 грн
25+3280.58 грн
50+3161.61 грн
100+2659.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit__512_K_8_256-3361058.pdf
CY14B104NA-ZS25XI
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B104NA-ZS25XI 2309567.pdf
CY14B104NA-ZS25XI
Виробник: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Zugriffszeit für Schreiben: 25
Zugriffszeit für Lesen: 25
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.