CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2987.16 грн |
| 10+ | 2658.68 грн |
| 25+ | 2572.78 грн |
| 40+ | 2373.55 грн |
| 135+ | 2269.56 грн |
| 270+ | 2211.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 2.7, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, Speichergröße: 4, Anzahl der Pins: 44, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 3.6, Zugriffszeit für Schreiben: 25, Zugriffszeit für Lesen: 25, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції CY14B104NA-ZS25XI за ціною від 2671.46 грн до 3738.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
CY14B104NA-ZS25XI | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES |
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Speicherorganisation: 256K x 16 Bit Speichergröße: 4 Anzahl der Pins: 44 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Zugriffszeit für Schreiben: 25 Zugriffszeit für Lesen: 25 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY14B104NA-ZS25XI |
|
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3024.00 грн |
| CY14B104NA-ZS25XI |
|
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3738.49 грн |
| 10+ | 3483.85 грн |
| 25+ | 3295.22 грн |
| 50+ | 3175.72 грн |
| 100+ | 2671.46 грн |
| CY14B104NA-ZS25XI |
|
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3738.49 грн |
| 10+ | 3483.85 грн |
| 25+ | 3295.22 грн |
| 50+ | 3175.72 грн |
| 100+ | 2671.46 грн |
| CY14B104NA-ZS25XI |
|
Виробник: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CY14B104NA-ZS25XI |
|
Виробник: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Zugriffszeit für Schreiben: 25
Zugriffszeit für Lesen: 25
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Zugriffszeit für Schreiben: 25
Zugriffszeit für Lesen: 25
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)