CY14B108M-ZSP25XI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY14B108M-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 512K x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 8Mbit, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).