CY14B108N-ZSP25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4531.68 грн |
| 10+ | 3873.69 грн |
| 25+ | 3693.54 грн |
| 40+ | 3382.46 грн |
| 108+ | 3211.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B108N-ZSP25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B108N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-54, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY14B108N-ZSP25XI за ціною від 3247.76 грн до 4950.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B108N-ZSP25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY14B108N-ZSP25XI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B108N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-54 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY14B108N-ZSP25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| CY14B108N-ZSP25XI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B108N-ZSP25XI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |