CY14B116N-ZSP25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC NVSRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7686.46 грн |
| 10+ | 6921.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B116N-ZSP25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 16Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 1M x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Mbit, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY14B116N-ZSP25XI за ціною від 7816.50 грн до 10912.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B116N-ZSP25XI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 1M x 16 Bit euEccn: NLR Speichergröße: 16Mbit Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| CY14B116N-ZSP25XI | Виробник : Infineon Technologies |
NVRAM U |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
| CY14B116N-ZSP25XI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B116N-ZSP25XI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |
||||||
| CY14B116N-ZSP25XI | Виробник : Cypress Semiconductor |
NVRAM Non Volatile SRAMs |
товару немає в наявності |