CY14B116N-ZSP25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7235.48 грн |
| 10+ | 6419.87 грн |
| 25+ | 6207.29 грн |
| 50+ | 5763.81 грн |
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Технічний опис CY14B116N-ZSP25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 16Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 1M x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Mbit, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY14B116N-ZSP25XI за ціною від 5949.43 грн до 8420.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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CY14B116N-ZSP25XI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 1M x 16 Bit euEccn: NLR Speichergröße: 16Mbit Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CY14B116N-ZSP25XI | Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| CY14B116N-ZSP25XI |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 1M x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 1M x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Mbit
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8420.32 грн |
| 5+ | 8089.75 грн |
| 10+ | 7759.19 грн |
| CY14B116N-ZSP25XI |
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Виробник: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM
NVRAM NVSRAM
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7465.63 грн |
| 10+ | 6863.73 грн |
| 25+ | 5949.43 грн |