CY14B116S-BZ25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 512K x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1741.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B116S-BZ25XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 165-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 16Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 512K x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції CY14B116S-BZ25XI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
CY14B116S-BZ25XI | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA Packaging: Tray Package / Case: 165-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 512K x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
| CY14B116S-BZ25XI | Виробник : Cypress Semiconductor |
NVRAM Non Volatile SRAMs |
товар відсутній |