CY14B116S-BZ25XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 32
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1375.42 грн |
| 10+ | 1227.40 грн |
| 25+ | 1188.75 грн |
| 50+ | 1088.35 грн |
| 105+ | 1059.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY14B116S-BZ25XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 16Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 165-LBGA, Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 512K x 32, Access Time: 25 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17), Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V.
Інші пропозиції CY14B116S-BZ25XI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
CY14B116S-BZ25XI | Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGAWrite Cycle Time - Word, Page: 25ns Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 165-LBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 32 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 105 шт В кошику од. на суму грн. |
| CY14B116S-BZ25XI | Cypress Semiconductor |
NVRAM Non Volatile SRAMs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| CY14B116S-BZ25XI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 32
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 32
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY14B116S-BZ25XI |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
NVRAM Non Volatile SRAMs
NVRAM Non Volatile SRAMs
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


