
CY62136EV30LL-45BVXI Infineon Technologies
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.81 грн |
500+ | 206.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY62136EV30LL-45BVXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62136EV30LL-45BVXI - SRAM, 2MB, 128K x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 2Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 45ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.6V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 2Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 2.2V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: -, Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY62136EV30LL-45BVXI за ціною від 169.93 грн до 235.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CY62136EV30LL-45BVXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 128K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CY62136EV30LL-45BVXI | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 2Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: - Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CY62136EV30LL-45BVXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
CY62136EV30LL-45BVXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |