CY62148ELL-55SXA Cypress Semiconductor


38-05442_CY62148E_MOBL_4_MBIT_512K_X_8_STATIC_RAM-319211.pdf
Виробник: Cypress Semiconductor
SRAM 4Mb 55ns 512K x 8 Low Power SRAM
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY62148ELL-55SXA Cypress Semiconductor

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOIC, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 512K x 8, Access Time: 55 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Supplier Device Package: 32-SOIC, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width), Packaging: Tube.

Інші пропозиції CY62148ELL-55SXA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CY62148ELL-55SXA CY62148ELL-55SXA Infineon Technologies Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 32-SOIC
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148ELL-55SXA Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 32-SOIC
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.