CY62157G18-55BVXI Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 948.59 грн |
| 10+ | 911.12 грн |
| 25+ | 901.95 грн |
| 50+ | 862.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY62157G18-55BVXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 55ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Speichergröße: 8Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 1.65V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CY62157G18-55BVXI за ціною від 862.06 грн до 948.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CY62157G18-55BVXI | Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin VFBGA Bulk |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
CY62157G18-55BVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 55ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Speichergröße: 8Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.65V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| CY62157G18-55BVXI | Cypress Semiconductor |
SRAM Micropower SRAMs |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY62157G18-55BVXI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin VFBGA Bulk
SRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin VFBGA Bulk
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 948.59 грн |
| 16+ | 911.12 грн |
| 25+ | 901.95 грн |
| 50+ | 862.06 грн |
| CY62157G18-55BVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - CY62157G18-55BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 2.2V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 55ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 8Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY62157G18-55BVXI |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
SRAM Micropower SRAMs
SRAM Micropower SRAMs
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




