CY62162G18-55BGXI Infineon Technologies
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY62162G18-55BGXI Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel, Mounting: SMD, Case: PBGA119, Kind of package: in-tray, Kind of interface: parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 55ns, Supply voltage: 1.65...2.2V DC, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 512kx32bit.
Інші пропозиції CY62162G18-55BGXI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
CY62162G18-55BGXI | Виробник : Cypress Semiconductor Corp |
Description: IC SRAM 8MBIT 55NS 119BGA |
товару немає в наявності |
|
|
|
CY62162G18-55BGXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
SRAM Micropower SRAMs |
товару немає в наявності |
|
| CY62162G18-55BGXI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel Mounting: SMD Case: PBGA119 Kind of package: in-tray Kind of interface: parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Operating temperature: -40...85°C Access time: 55ns Supply voltage: 1.65...2.2V DC Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit |
товару немає в наявності |

