CY62162G18-55BGXI Infineon Technologies
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY62162G18-55BGXI Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 512kx32bit, Access time: 55ns, Case: PBGA119, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray, Supply voltage: 1.65...2.2V DC, кількість в упаковці: 840 шт.
Інші пропозиції CY62162G18-55BGXI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
CY62162G18-55BGXI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 55ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.65...2.2V DC кількість в упаковці: 840 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
CY62162G18-55BGXI | Виробник : Cypress Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
CY62162G18-55BGXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
CY62162G18-55BGXI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 55ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.65...2.2V DC |
товару немає в наявності |