CY62167G30-45ZXI Cypress Semiconductor Corp
Виробник: Cypress Semiconductor Corp
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Технічний опис CY62167G30-45ZXI Cypress Semiconductor Corp
Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 45ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.6V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 16Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 2.2V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit.
Інші пропозиції CY62167G30-45ZXI за ціною від 712.58 грн до 2257.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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CY62167G30-45ZXI | Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP IPackaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY62167G30-45ZXI | Infineon Technologies |
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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CY62167G30-45ZXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 16Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CY62167G30-45ZXI |
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Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1025.26 грн |
| 10+ | 915.97 грн |
| 25+ | 887.56 грн |
| 96+ | 794.04 грн |
| 192+ | 774.27 грн |
| 288+ | 762.83 грн |
| CY62167G30-45ZXI |
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Виробник: Infineon Technologies
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1075.56 грн |
| 10+ | 984.01 грн |
| 25+ | 828.87 грн |
| 50+ | 790.11 грн |
| 100+ | 771.08 грн |
| 250+ | 759.80 грн |
| 500+ | 712.58 грн |
| CY62167G30-45ZXI |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
Description: INFINEON - CY62167G30-45ZXI - SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-I-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2257.20 грн |
| 5+ | 1975.16 грн |
| 10+ | 1636.37 грн |
| 25+ | 1362.19 грн |



