
CY7C1011DV33-10ZSXIT INFINEON

Description: INFINEON - CY7C1011DV33-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 2Mbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 274.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1011DV33-10ZSXIT INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1011DV33-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 16bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 2Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 2Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY7C1011DV33-10ZSXIT за ціною від 207.54 грн до 445.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CY7C1011DV33-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CY7C1011DV33-10ZSXIT | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 2Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CY7C1011DV33-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 128K x 16 |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CY7C1011DV33-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
CY7C1011DV33-10ZSXIT | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 128K x 16 |
товару немає в наявності |