CY7C1020DV33-10ZSXI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 435.50 грн |
| 10+ | 389.82 грн |
| 25+ | 378.06 грн |
| 40+ | 349.13 грн |
| 135+ | 334.52 грн |
| 270+ | 326.28 грн |
| 540+ | 312.92 грн |
| 945+ | 306.54 грн |
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Технічний опис CY7C1020DV33-10ZSXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Kbit, MSL: -, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Speichergröße: 512Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit.
Інші пропозиції CY7C1020DV33-10ZSXI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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CY7C1020DV33-10ZSXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: TSOP rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Kbit MSL: - Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 44Pin(s) Speichergröße: 512Kbit Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY7C1020DV33-10ZSXI | Infineon Technologies |
SRAM 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async SRAM |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY7C1020DV33-10ZSXI | CYPRESS |
TSOP |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY7C1020DV33-10ZSXI |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Kbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Speichergröße: 512Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit
Description: INFINEON - CY7C1020DV33-10ZSXI - SRAM, 512kB, 32K x 16 Bit, 10ns, 3V bis 3.6V, TSOP-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 16bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Kbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Speichergröße: 512Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 16 Bit
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7C1020DV33-10ZSXI |
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Виробник: Infineon Technologies
SRAM 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async SRAM
SRAM 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async SRAM
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CY7C1020DV33-10ZSXI |
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Виробник: CYPRESS
TSOP
TSOP
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)