CY7C1021DV33-10VXIT Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 112.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1021DV33-10VXIT Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY7C1021DV33-10VXIT за ціною від 134.97 грн до 241.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C1021DV33-10VXIT | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CY7C1021DV33-10VXIT | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CY7C1021DV33-10VXIT | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CY7C1021DV33-10VXIT | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXIT |
|
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXIT | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: SOJ44 Mounting: SMD Supply voltage: 3...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Kind of memory: SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10VXIT | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: SOJ44 Mounting: SMD Supply voltage: 3...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Kind of memory: SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |