CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 452.29 грн |
| 10+ | 415.17 грн |
| 25+ | 349.60 грн |
| 50+ | 341.98 грн |
| 100+ | 329.79 грн |
| 250+ | 321.42 грн |
| 500+ | 319.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.6V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 2.2V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY7C1041GE30-10ZSXI за ціною від 344.21 грн до 680.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C1041GE30-10ZSXI | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1041GE30-10ZSXI | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1041GE30-10ZSXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1041GE30-10ZSXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CY7C1041GE30-10ZSXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
CY7C1041GE30-10ZSXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray |
товару немає в наявності |