Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > CY7C1041GE30-10ZSXI
CY7C1041GE30-10ZSXI

CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies

Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+559.48 грн
10+478.10 грн
25+455.90 грн
40+417.55 грн
135+391.97 грн
270+378.09 грн
540+358.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: -, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.6V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Speichergröße: 4Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 2.2V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit.

Інші пропозиції CY7C1041GE30-10ZSXI за ціною від 450.57 грн до 788.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY7C1041GE30-10ZSXI CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+788.50 грн
22+645.89 грн
50+614.06 грн
100+544.40 грн
200+478.82 грн
500+450.57 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10ZSXI CY7C1041GE30-10ZSXI Infineon Technologies 041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10ZSXI CY7C1041GE30-10ZSXI INFINEON INFN-S-A0013890948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10ZSXI words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf
CY7C1041GE30-10ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+788.50 грн
22+645.89 грн
50+614.06 грн
100+544.40 грн
200+478.82 грн
500+450.57 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10ZSXI 041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf
CY7C1041GE30-10ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10ZSXI INFN-S-A0013890948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1041GE30-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GE30-10ZSXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.