на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.33 грн |
| 10+ | 222.36 грн |
| 25+ | 187.99 грн |
| 500+ | 187.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1041GN30-10BVJXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY7C1041GN30-10BVJXI за ціною від 223.68 грн до 674.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C1041GN30-10BVJXI | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
CY7C1041GN30-10BVJXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
CY7C1041GN30-10BVJXI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
CY7C1041GN30-10BVJXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
товару немає в наявності |