CY7C1041GN30-10BVJXI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 297.89 грн |
| 10+ | 267.51 грн |
| 25+ | 259.52 грн |
| 50+ | 237.88 грн |
| 100+ | 232.23 грн |
| 480+ | 219.57 грн |
| 960+ | 210.56 грн |
| 1440+ | 207.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1041GN30-10BVJXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 4Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit.
Інші пропозиції CY7C1041GN30-10BVJXI за ціною від 306.27 грн до 633.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: VFBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit |
на замовлення 2358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
CY7C1041GN30-10BVJXI | Infineon Technologies |
SRAM ASYNC SRAMS |
на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY7C1041GN30-10BVJXI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 598.02 грн |
| 10+ | 553.34 грн |
| 25+ | 507.08 грн |
| 100+ | 463.59 грн |
| 250+ | 390.19 грн |
| 500+ | 361.90 грн |
| 1000+ | 309.40 грн |
| 2400+ | 306.27 грн |
| CY7C1041GN30-10BVJXI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 598.02 грн |
| 26+ | 553.34 грн |
| 28+ | 507.08 грн |
| 100+ | 463.59 грн |
| 250+ | 390.19 грн |
| 500+ | 361.90 грн |
| 1000+ | 309.40 грн |
| 2400+ | 306.27 грн |
| CY7C1041GN30-10BVJXI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Bulk
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 633.38 грн |
| 27+ | 539.72 грн |
| 50+ | 517.47 грн |
| 100+ | 465.12 грн |
| 200+ | 411.85 грн |
| 500+ | 391.36 грн |
| CY7C1041GN30-10BVJXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVJXI - SRAM, 4MB, 256Kword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256Kword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7C1041GN30-10BVJXI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM ASYNC SRAMS
SRAM ASYNC SRAMS
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




