
CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies

SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 217.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: SOJ, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції CY7C1049G30-10VXI за ціною від 246.75 грн до 696.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
CY7C1049G30-10VXI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |