Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > CY7C1049GN30-10ZSXIT

CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon Technologies


Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+347.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: -, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Speichergröße: 4Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit.

Інші пропозиції CY7C1049GN30-10ZSXIT за ціною від 316.46 грн до 601.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY7C1049GN30-10ZSXIT CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon Technologies Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.02 грн
10+392.93 грн
25+381.11 грн
50+349.28 грн
100+340.92 грн
250+329.95 грн
500+316.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon Technologies 02-10613_cy7c1049gn_4_mbit_512k_words_x_8_bit_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+601.26 грн
26+554.01 грн
50+524.48 грн
100+467.02 грн
200+414.49 грн
500+390.82 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon Technologies 1049GE_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v07_00-CN.pdf SRAM ASYNC SRAMS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT CY7C1049GN30-10ZSXIT INFINEON CYPR-S-A0011119760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.02 грн
10+392.93 грн
25+381.11 грн
50+349.28 грн
100+340.92 грн
250+329.95 грн
500+316.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT 02-10613_cy7c1049gn_4_mbit_512k_words_x_8_bit_static_ram.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+601.26 грн
26+554.01 грн
50+524.48 грн
100+467.02 грн
200+414.49 грн
500+390.82 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT 1049GE_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v07_00-CN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SRAM ASYNC SRAMS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT CYPR-S-A0011119760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXIT - SRAM, 4MB, 512Kword x 8 Bit, 2.2V bis 3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.