CY7C10612G30-10ZSXI Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1568.29 грн |
| 10+ | 1340.71 грн |
| 25+ | 1278.53 грн |
| 40+ | 1170.95 грн |
| 108+ | 1112.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C10612G30-10ZSXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C10612G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-II, 54 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY7C10612G30-10ZSXI за ціною від 1040.77 грн до 1639.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C10612G30-10ZSXI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C10612G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-II, 54 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C10612G30-10ZSXI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM ASYNC |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CY7C10612G30-10ZSXI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY7C10612G3010ZSXI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |