CY7C1061G30-10BV1XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1967.21 грн |
| 10+ | 1897.59 грн |
| 25+ | 1830.80 грн |
| 50+ | 1720.96 грн |
| 100+ | 1564.08 грн |
| 480+ | 1411.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1061G30-10BV1XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: -, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 16Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit.
Інші пропозиції CY7C1061G30-10BV1XI за ціною від 1411.20 грн до 2623.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CY7C1061G30-10BV1XI | Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CY7C1061G30-10BV1XI | Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CY7C1061G30-10BV1XI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: VFBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: - Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 16Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CY7C1061G30-10BV1XI | Cypress Semiconductor |
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CY7C1061G30-10BV1XI | Infineon Technologies |
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CY7C1061G30-10BV1XI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1967.21 грн |
| 10+ | 1897.59 грн |
| 25+ | 1830.80 грн |
| 50+ | 1720.96 грн |
| 100+ | 1564.08 грн |
| 480+ | 1411.20 грн |
| CY7C1061G30-10BV1XI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2623.84 грн |
| 10+ | 2337.86 грн |
| 25+ | 2262.96 грн |
| 50+ | 2071.10 грн |
| CY7C1061G30-10BV1XI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY7C1061G30-10BV1XI |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| CY7C1061G30-10BV1XI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




