CY7C1061G30-10BV1XI Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1527.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1061G30-10BV1XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 16Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 16Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції CY7C1061G30-10BV1XI за ціною від 1217.16 грн до 2187.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY7C1061G30-10BV1XI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CY7C1061G30-10BV1XI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1061G30-10BV1XI | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1061G30-10BV1XI | Виробник : Infineon Technologies |
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CY7C1061G30-10BV1XI | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BV1XI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: VFBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 16Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CY7C1061G30-10BV1XI | Виробник : Cypress Semiconductor |
SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CY7C1061G30-10BV1XI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY7C1061G3010BV1XI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
товару немає в наявності |