CY7C1061G30-10BVXI Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2279.41 грн |
| 10+ | 2077.44 грн |
| 25+ | 1751.49 грн |
| 50+ | 1733.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C1061G30-10BVXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: VFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 16Mbit, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 16Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit.
Інші пропозиції CY7C1061G30-10BVXI за ціною від 2328.93 грн до 3030.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CY7C1061G30-10BVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: VFBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 16Mbit Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 16Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
CY7C1061G30-10BVXI | Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| CY7C1061G30-10BVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
Description: INFINEON - CY7C1061G30-10BVXI - SRAM, 16MB, 1Mword x 16 Bit, 2.2V bis 3.6V, VFBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: VFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 1Mword x 16 Bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 16Mbit
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 16Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1Mword x 16 Bit
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2886.26 грн |
| 5+ | 2780.18 грн |
| 10+ | 2673.29 грн |
| CY7C1061G30-10BVXI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3030.57 грн |
| 10+ | 2697.74 грн |
| 25+ | 2610.74 грн |
| 50+ | 2389.07 грн |
| 100+ | 2328.93 грн |




